|
|
 |
 |
アトムソース（Atom Source） |
|
Applications |
|
● Nitriding e.g. GaN, AlN, GaAsN SiN etc.
● Hydrogen cleaning, hydrogen assisted MBE.
● Oxidation e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings.
● Compatible with MBE, PLD, Sputter deposition systems.
● Nitrogen Doping
|
| |
| Key Fuatures＆Basic Comprises |
| |
|
● フィラメントレス
酸素、水素、窒素等のリアクティブガスの解離が可能です。
●CF70フランジマウント
コンパクト、マイクロ波導波管の接続を必要としない省スペース構造
●チューニング不要（Factory Set）
ユーザーによる面倒なチューニング作業は不要です。
●Full UHV対応
UHV環境下で使用可能な材質で構成されています。
●ベークアウト＞200℃ |
 |
| |
| Specifications |
|
|
 |
|
Atom Flux
|
>2x1016 atoms/cm2/s at 10cm |
|
Beam Divergence
|
~ 15° half-angle typical |
|
イオン化ガス
|
N2, O2, H2 (any most other non-condensible gases) |
|
動作圧力
Working Pressure
|
1x10-8 mabr to 1x10-1 mbar typical (using 500l/s pump) and depending on selected grids, pump, optional differential pumping and gases. |
|
Working distance:
|
<50mm to >300mm (150mm typical) |
|
オプション:
|
(1) Residual Ion Trap (removes ions from beam)
(2) Differential pumping (for operation at very low or high vacuum levels)
(3) Ion source retrofit kit
(4) Plasma igniter
(5) Plasma Detection (sensor to detect if plasma is on)
(6) remote control option A (externally swich on/off microwave power)
(7) remote control option B (to extermnally control microwave power, ion traps via 0-10V analog signal) |
|
| |
|
| |
| ご注意：カタログに記載の内容は予告なく変更される場合があります。（Vol:2008-04） |
| |
|
