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イオン源

Ion Etch
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テクニカルデータ
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●フィラメントレスイオン源＝（リアクティブガスの導入可能）

●マイクロ波励起（ECR方式）＝高真空下での高効率作動

●イオンエネルギー可変（25eV-5KV)

●CF70フランジマウント

●UHV対応

 

マイクロ波プラズマ放電によるフィラメントレスのイオン源です。

CF70フランジマウントのコンパクトな本体ながら、ECR（Electron Cyclotoron Resonance）方式による本格的ECRプラズマイオンソースです。 フィラメントレス構造の為、O2、H2、N2等のリアクティブガスの導入も可能です。プラズマ生成部は高純度の絶縁材料で構成され、その他の構造材料も全てUHV環境での使用に耐える構造です。また、導波管接続を必要としない為、設置スペースを制限しません。ユーザーによる面倒なチューニング作業も不要です。このイオン源はユーザーアプリケーションにより変動する様々なファクターに柔軟に対応できます。例えば、基板サイズ、基板距離、動作圧力、導入ガス種、流量、必要とする電流密度などの要素をビームアパーチャーの設計で最適値に調整することができます。（詳細は弊社までお問合せください。）

 
Applications

●基板クリーニング（Ｓｐｕｔｔｅｒ　Ｃｌｅａｎｉｎｇ）

●欠陥除去（Surface Preparation in Surface Science,MBE & HV Sputter processes)

●イオンアシスト蒸着（Ion Assisted Deposition)

●イオンビームスパッタデポジション（Ion Beam Sputter Coating)

●反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching)

 
 Key Fuatures＆Basic Comprises
 

●　フィラメントレス

酸素、水素、窒素等のリアクティブガスを含め、殆どのガス種のイオン化が可能です。

●CF70フランジマウント

コンパクト、マイクロ波導波管の接続を必要としない省スペース構造

●チューニング不要（Factory Set）

ユーザーによる面倒なチューニング作業は不要です。

●Full UHV対応

UHV環境下で使用可能な材質で構成されています。

●ベークアウト＞200℃

　
Specifications    
 
Ion Energy 25eV - 5keV
Total Beam Current 1mA (at 5kV with Argon)
High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon) 
Current Density 120µA/cm² at 100mm working distance
Beam Divergence Ion energy dependant (typically 15°)
Working Distance 100 mm (typically)
Plasma Cup Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)
Gas Inlet CF34  (DN16CF)
Gas Flow Rate 1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)

　　　動作圧力

Working Pressure

10-6 Torr - 10-3 Torr (1x10-5 Torr typical in chamber with 300l/s pump).

Low 10-6  Torr range possible - beam current then 140µA max.

Source Microwave Plasma Discharge (No Filament)
　マウントフランジ

CF-70 (DN35CF)

Source Diameter 34mm (vacuum side)
　ガス導入バルブ オールメタルリークバルブ（手動）、（マスフロー装備の場合は予め指定ください。）
　
Options    
【オプション】
・ビームニュートライザー
・差動排気ユニット
【電源オプション】
・プラズマモニター・
・Highj Current 電源
   
     
ご注意：カタログに記載の内容は予告なく変更される場合があります。（Vol:2008-04）